Etude aux interfaces des couches minces Cu/Au/Si et Pd/Au/Si

Des échantillons de Cu/Au,Au/Cu et Pd/Au sur Si(100),Si(111) ont été élaborés par évaporation thermique ensuite recuit sous vide entre 100-650°C/30min. La caractérisation de ces échantillons a été effectuée par la rétrodiffusion de Rutherford RBS,la diffraction des rayons X,la microscopie életronique à balayage avec l’énergie dispersive à rayons X qui lui est associée. L’approche de cette étude est de voir si la couche d’or interposée en sandwich joue le role d’une barrière de diffusion quand la température de la structure augmente. Après recuit thermique, pour le système Cu/Au et Au/Cu, la coalescence des couches de Cuivre et d’Or conduit vers la formation des siliciures de Cuivre Cu3Si et/ou Cu4Si sous forme de cristallites de formes rectangulaires et carrées sur Si(100) et triangulaire équilatéraux sur Si(111).De même pour la structure Pd/Au,la coalescence du Palladium et l’Or conduit à la croissance de siliciures Pd2Si et/ou PdSi sous forme de micro-cristallites de forme triangulaire équilatéral sur Si(111),tandis que sur Si(100) on enregistre la formation de nanocrystallites sans aucune forme particulière.La croissance de ces composés pour les deux structures.