Le silicium et le manganèse pour la thermoélectricité

L’objectif de ce livre est d’étudier le système Mn/Si en couche minces pour des applications thermoélectriques. Nous avons alors présenté des définitions sur la thermoélectricité puis sur les siliciures, en suite nous avons présenté les techniques utilisées pour mieux comprendre les résultats. Ces derniers sont présentés en deux parties. Dans la 1ère nous avons suivi la formation des phases en partant d’un film de Mn déposé (par évaporation et par pulvérisation cathodique) sur du Si. Nous avons ainsi détecté la première phase qui se forme par RPS à basse température par DRX in-situ. Dans la 2ième partie nous avons montré les résultats pour des températures élevées du point de vu physicochimique et thermoélectrique (résistance de surface, pouvoir thermoélectrique, facteur de puissance) et des résultats très satisfaisants ont été obtenus, et la surface obtenue à ces températures promet un bon facteur de mérite. Plusieurs traitements et caractérisations (AFM, MOHR, AES, FIB, MEB) sont utilisés. Une forte texturation du siliciure obtenu à 890°C est mise en évidence par la méthode des offsets et de la figure de pôle.