Boîtes quantiques d’In(Ga)As pour l’émission autour de 1,3 μm sur GaAs

Les boîtes quantiques de semiconducteurs III-V font l’objet de recherches actives depuis leur découverte en 1985 du fait de leur propriétés physiques spécifiques qui ouvrent des champs d’application potentiels dans le domaine des composants et des nanocomposants pour la microélectronique et l’optoélectronique. Cet ouvrage, reproduction d’une thèse de doctorat en sciences de la matière, traite de la croissance et des propriétés structurales de boîtes quantiques d’In(Ga)As/GaAs. Il aborde les aspects liés à l’épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de ces nanostructures, ainsi que l’étude de l’influence des conditions de croissance sur leur morphologie, leur taille et leur composition. Il montre ensuite comment les propriétés optiques des nanostructures (photoluminescence) peuvent être optimisées et présentent une étude détaillée de la fabrication de lasers les utilisant comme couche active. Il s’adresse à des chercheurs en sciences physiques et technologies de l’information, à des doctorants et à des étudiants en physique de la matière.