Mouvement des dislocations dans l'hélium-4

Nous avons découvert que le module de cisaillement des monocristaux d’hélium-4 présentait une grande réduction dans une direction particulière quand les dislocations se déplacent librement. Cette "plasticité géante" (car due au mouvement des dislocations) apparaît à suffisamment basse température lorsque les phonons thermiques disparaissent et se poursuivrait jusqu’au zéro absolu si les impuretés d’He-3 étaient supprimées. En étudiant des monocristaux d’orientations différentes, nous avons identifié le plan de glissement des dislocations : le plan de base de la structure hexagonale compacte. Nous avons aussi démontré que l’amortissement apparaissant à plus haute température est causé par des collisions avec les phonons thermiques, ce qui nous a permis de mesurer précisément la densité et la longueur libre des dislocations Une dernière série de mesures nous ont prouvé qu’il existait une vitesse critique des dislocations en dessous de laquelle les impuretés accrochées à la dislocation se déplacent avec elle. Nous tentons de comparer ce comportement à celui des cristaux classiques.