Dopage au bore du silicium amorphe hydrogène déposé par pulvérisation

Dès la découverte du silicium amorphe hydrogéné vers la fin des années soixante, de nombreux efforts de recherche ont été entrepris sur ce matériau afin d’arriver à mieux comprendre ses propriétés et élargir ses domaines d’application. Le grand avantage que ce matériau procure est la possibilité de le déposer en couches minces sur de grandes surfaces avec un faible coût. A côté de ces avantages, la possibilité qu’il soit dopé et de changer le type de porteurs ainsi que l’ordre de grandeur de sa conductivité, a permis d’envisager de nombreuses applications concernant la réalisation de diverses structures électroniques. Il y a donc eu de rapides progrès dans l’étude du silicium amorphe depuis 1975, date à laquelle les premières expériences de dopage ont été mentionnées. Le dopage au bore en faibles concentrations est utilisé pour le rendre intrinsèque et obtenir une conductivité minimum. Ce matériau est l’élément actif de nombreux dispositifs électroniques comme les cellules solaires, les photorécepteurs et les transistors en couches minces (TFT). Les dopages élevés sont nécessaires pour réaliser les structures pin ou pour obtenir des contacts ohmiques sur le matériau intrinsèque.